Энергоэффективная силовая электроника: силовые транзисторы из оксида галлия с рекордными характеристиками
Недавно разработанные бета-Ga2O3-MOSFET (полевые транзисторы металл-оксид-полупроводник) обеспечивают высокое напряжение пробоя в сочетании с высокой проводимостью по току. При напряжении пробоя 1.8 киловольт и рекордный показатель мощности 155 мегаватт на квадратный сантиметр, они достигают уникальных показателей производительности, близких к теоретическому пределу материала оксида галлия. …