Кроме того

Разработка силовых устройств на основе GaN – перспективная энергосберегающая технология – требует производства полупроводников GaN как n-, так и p-типа. Полупроводники GaN p-типа можно производить массово, вводя ионы Mg в пластины GaN и подвергая пластины термической обработке. Однако не существовало метода для оценки влияния концентраций Mg и температуры термообработки на распределение и оптическое поведение Mg, имплантированного в GaN, при наноразмерных размерах. …

Наноразмерная визуализация распределения и оптического поведения легирующей примеси в GaNПодробнее »